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SiC功率模块
与传统硅基IGBT相比，全碳化硅模块具有更高的功率密度、更快的工作频率，开关损耗可降低70%以上。可应用于轨道交通逆变牵引、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、ups电源、智能电网等。
| 型号 | 电压 Vds [V] |
电流 ld[A] |
导通电阻 RDS(on)typ |
封装形式 Package |
规格书下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| CHF1000H12M3 | 1200V | 1000A | 1.5mΩ | EconoDUAL3 |  |
| CHF1000H17M3 | 1700V | 1000A | 1.5mΩ | EconoDUAL3 | |
| CSX600N12HP | 1200V | 600A | 2.0mΩ | HPD | |
| CSX600N12LP | 1200V | 600A | 2.6mΩ | LP | |
| CSX800N12LP | 1200V | 800A | 2.0mΩ | LP | |
| CHF200N12E2 | 1200V | 200A | 3.5mΩ | E2 | |
| CHF160N22E2 | 2200V | 160A | 5mΩ | E2 | |
